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Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振

Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振

产品简介

Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振美国进口晶振,Microchip晶振,型号:DSC1001,编码为:DSC1001DI1-026.0000T,频率为:26.000MHz,小体积晶振尺寸:2.5x2.0x0.85mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,DSC1001是一种基于硅MEMS的CMOS系列振荡器,在大范围的电源电压和温度范围内提供优异的抖动和稳定性能。该设备的工作范围为1MHz至150MHz,电源电压在1.8至3.3V特之间,温度范围高达-40°C至105°C。DSC1001包含了一个全硅谐振器,它非常坚固,几乎不受应力相关裂缝的影响,这是石英晶体振荡器常见的。在不牺牲当今系统所需的性能和稳定性的情况下,无晶体设计允许更高水平的可靠性,使DSC1001非常适合坚固、工业和便携式的应用,其中应力、冲击和振动可能会损坏基于石英晶体的系统。应用于:移动应用,消费电子,便携式电子,DVR,闭路电视,监控摄像头,低调应用,工业应用。

产品详情

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Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振美国进口晶振,Microchip晶振,型号:DSC1001,编码为:DSC1001DI1-026.0000T,频率为:26.000MHz,小体积晶振尺寸:2.5x2.0x0.85mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,DSC1001是一种基于硅MEMS的CMOS系列振荡器,在大范围的电源电压和温度范围内提供优异的抖动和稳定性能。该设备的工作范围为1MHz至150MHz,电源电压在1.8至3.3V特之间,温度范围高达-40°C至105°C。DSC1001包含了一个全硅谐振器,它非常坚固,几乎不受应力相关裂缝的影响,这是石英晶体振荡器常见的。在不牺牲当今系统所需的性能和稳定性的情况下,无晶体设计允许更高水平的可靠性,使DSC1001非常适合坚固、工业和便携式的应用,其中应力、冲击和振动可能会损坏基于石英晶体的系统。应用于:移动应用,消费电子,便携式电子,DVR,闭路电视,监控摄像头,低调应用,工业应用。

Japan2Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振参数表

Parameters Sym. Min. Typ. Max. Units Conditions
Frequency F0 26
MHz Single Frequency
Frequency Tolerance Δf ±10 ppm Includes frequency variations
due to initial tolerance,
temperature and power supply
voltage
±20
±25
±50
Aging Δf ±5 ppm 1 year @ +25°C
Supply Current, Standby IDD 15 µA T = +25°C
Output Startup Time
(Note 1)
tSU 1.0 1.3 ms T = +25°C
Output Disable Time tDA 20 100 ns
Output Duty Cycle SYM 45 55 %
Input Logic Level High VIH 0.75 x VDD V
Input Logic Level Low VIL 0.25 x VDD V
VDD= 1.8V
Supply Current, No Load IDD 6.0 6.3 mA 1 MHz CL= 0 pF,
R
L= ∞ ,
T = +25°C
6.5 7.1 27 MHz
7.2 8.5 70 MHz
8.3 11.9 150 MHz
Output Logic Level High VOH 0.8 x VDD V –6 mA, DSC1004, CL= 40 pF
0.8 x VDD –6 mA, DSC1003, CL= 25 pF
0.8 x VDD –4 mA, DSC1001, CL= 15 pF
Output Logic Level Low VOL 0.2 x VDD V 6 mA, DSC1004, CL= 40 pF
0.2 x VDD 6 mA, DSC1003, CL= 25 pF
0.2 x VDD 4 mA, DSC1001, CL= 15 pF

Japan3Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振,尺寸图

DSC1001,DSC1003,DSC1004.2520

Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振

产品特性:

频率范围:1至150MHz

超温度稳定性- ±10 ppm,±20 ppm,±25 ppm,±50 ppm
工作电压- 1.7至3.6V
工作温度范围-外部。工业-40°C至105°C-工业-40°C至85°C-商用-20°C至70°C
低工作和待机电流-6 mA工作(1 MHz)- 15µA待机(最大)
微型尺寸:
2.5毫米x2.0mm毫米x0.85mm毫米
3.2毫米x2.5mm毫米x0.85mm毫米
5.0毫米x3.2mm毫米x0.85mm毫米
7.0毫米x5.0mm毫米x0.85mm毫米
MIL-STD 883防震和抗振动
Pb免费,RoHS,达到SVHC兼容
AEC-Q100可靠性合格
应用:移动通讯应用,消费电子,便携式电子,DVR,闭路电视,监控摄像头,低配置文件应用程序,工业应用


DSC1001,DSC1003,DSC1004


晶振料号 品牌 型号 频率 电压 Type 类型
DSC1001DI1-001.8432 Microchip晶振 DSC1001 1.8432MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-038.4000 Microchip晶振 DSC1001 38.4MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DE5-018.4320 Microchip晶振 DSC1001 18.432MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-026.0000T Microchip晶振 DSC1001 26MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-004.0960T Microchip晶振 DSC1001 4.096MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-020.0000T Microchip晶振 DSC1001 20MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-024.0000T Microchip晶振 DSC1001 24MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-075.0000 Microchip晶振 DSC1001 75MHz 1.7 V ~ 3.6 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-133.3330 Microchip晶振 DSC1001 133.333MHz 1.7 V ~ 3.6 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-080.0000 Microchip晶振 DSC1001 80MHz 1.7 V ~ 3.6 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-050.0000 Microchip晶振 DSC1001 50MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-024.0000 Microchip晶振 DSC1001 24MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-025.0000 Microchip晶振 DSC1001 25MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-100.0000 Microchip晶振 DSC1001 100MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-025.0000 Microchip晶振 DSC1001 25MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-004.9152 Microchip晶振 DSC1001 4.9152MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-012.0000 Microchip晶振 DSC1001 12MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-048.0000 Microchip晶振 DSC1001 48MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-020.0000 Microchip晶振 DSC1001 20MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-032.0000 Microchip晶振 DSC1001 32MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-038.4000 Microchip晶振 DSC1001 38.4MHz 1.7 V ~ 3.6 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-045.1584 Microchip晶振 DSC1001 45.1584MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-049.1520 Microchip晶振 DSC1001 49.152MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-011.0592 有源晶体 DSC1001 11.0592MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL1-025.2000 Microchip晶振 DSC1001 25.2MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-005.0196 Microchip晶振 DSC1001 5.0196MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-016.0000 Microchip晶振 DSC1001 16MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-012.8000 Microchip晶振 DSC1001 12.8MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-028.6363 Microchip晶振 DSC1001 28.6363MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-031.2500 Microchip晶振 DSC1001 31.25MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-037.1250 Microchip晶振 DSC1001 37.125MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-024.0000 Microchip晶振 DSC1001 24MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-050.0000 Microchip晶振 DSC1001 50MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-029.5000 Microchip晶振 DSC1001 29.5MHz 1.7 V ~ 3.6 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-027.0000 Microchip晶振 DSC1001 27MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-030.0000 Microchip晶振 DSC1001 30MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-027.0000 Microchip晶振 DSC1001 27MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-013.5000 Microchip晶振 DSC1001 13.5MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-037.1250 Microchip晶振 DSC1001 37.125MHz 1.7 V ~ 3.6 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-100.0000 Microchip晶振 DSC1001 100MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-040.0000 Microchip晶振 DSC1001 40MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-026.0000 Microchip晶振 DSC1001 26MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-047.3385 Microchip晶振 DSC1001 47.3385MHz 1.7 V ~ 3.6 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-047.3885 Microchip晶振 DSC1001 47.3885MHz 1.7 V ~ 3.6 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-074.2500 Microchip晶振 DSC1001 74.25MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-024.5760 Microchip晶振 DSC1001 24.576MHz 1.7 V ~ 3.6 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-016.0000 Microchip晶振 DSC1001 16MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-019.2000 Microchip晶振 DSC1001 19.2MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-025.0000 Microchip晶振 DSC1001 25MHz 1.8 V ~ 3.3 V MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-050.0000 Microchip晶振 DSC1001 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V MEMS (Silicon)

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