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AKER晶振,有源晶振,SMBF-321晶振,低电压小体积有源晶振
频率：1~135MHZ
尺寸：5.0*3.2mm贴片有源晶体是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型,超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
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AKER晶振,有源晶振,SMBF-531晶振,高精度小体积有源晶振
频率：1~135MHZ
尺寸：5.0*3.2mm5032进口晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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AKER晶振,有源晶振,SMBF-751晶振,汽车级四脚贴片晶振
频率：1~135MHZ
尺寸：7.0*5.0mm小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型,超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一.
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玛居礼晶振,压控温补晶振,VM572T晶振,OSC压控温补贴片晶振
频率：1.25~156MH...
尺寸：7.0*5.0mm压控温补晶体振荡器系列,VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:晶片胶点的位置,大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用,使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内.
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玛居礼晶振,压控温补晶振,VM53T晶振,通讯产品压控温补晶体振荡器
频率：8.192~38.4...
尺寸：3.2*2.5mm有源贴片晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型,超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
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玛居礼晶振,压控温补晶振,VM32T晶振,低衰减金属面贴片温补晶振
频率：8.192~38.4...
尺寸：3.2*2.5mm压控温补晶体系列,VC-TCXO晶振产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:晶片胶点的位置,大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用,使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内.
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玛居礼晶振,温补晶振,M572T晶振,轻薄型温补晶振
频率：1.25~156MH...
尺寸：7.0*5.0mm石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术,使用IC与晶片设计匹配技术:是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性,必须考虑振荡器的供应电压,起动电压和产品上升时间,下降时间等相关参数.
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玛居礼晶振,温补晶振,M53T晶振,低功耗金属面封装温补晶振
频率：6.4~38.4MH...
尺寸：3.0*2.5mm有源贴片晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型,超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
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玛居礼晶振,温补晶振,M32晶振,金属面四脚温补晶体振荡器
频率：8.192~38.4...
尺寸：3.0*2.5mm温补晶体系列,TCXO振荡器产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:晶片胶点的位置,大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用,使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内.
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玛居礼晶振,温补晶振,ME32T晶振,陶瓷面温补振荡器
频率：32.768KHZ
尺寸：3.0*2.5mm小尺寸的TCXO温补晶振内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术,晶片胶点的位置,大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用,使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内,确保TCXO晶体产品精度,稳定性能良好发挥功能.
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玛居礼晶振,压控晶振,GCJF538晶振,小型移动通信基站振荡器
频率：15~2100MHZ
尺寸：5.0*3.2mm贴片石英晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要
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玛居礼晶振,压控晶振,GCJF578晶振,低耗能7050贴片晶振
频率：15~700MHZ
尺寸：7.0*5.0mm7050mm体积的网络通信晶振有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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玛居礼晶振,压控晶振,GQJF578晶振,网络通信低差损有源晶振
频率：15~2100MHZ
尺寸：7.0*5.0mm有源石英晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:１.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±５ppm;２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内
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玛居礼晶振,压控晶振,GDJF578晶振,进口低电源电压晶振
频率：15~2100MHZ
尺寸：7.0*5.0mm贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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玛居礼晶振,压控晶振,GPJF578晶振,7050低功耗压控晶体振荡器
频率：10~1.45GMH...
尺寸：7.0*5.0mm小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
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玛居礼晶振,压控晶振,GDQN576晶振,7050体积低损耗压控晶振
频率：10~1.45GMH...
尺寸：7.0*5.0mm压控晶振系列,VCXO产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:晶片胶点的位置,大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用,使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内.
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玛居礼晶振,压控晶振,GDQN536晶振,低差损5032振荡器
频率：10~1.45GMH...
尺寸：5.0*3.2mm5032进口晶振的体积石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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玛居礼晶振,压控晶振,GDQN326晶振,3225mm低功耗压控晶振
频率：10~1.45GMH...
尺寸：3.2*2.5mmOSC晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
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玛居礼晶振,压控晶振,GDQF576晶振,进口低电源电压晶体振荡器
频率：10~1.45GMH...
尺寸：7.0*5.0mm7050有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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玛居礼晶振,压控晶振,GDQF536晶振,台产低损耗压控晶体振荡器
频率：10~1.45GMH...
尺寸：5.0*3.2mm贴片有源石英晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型,超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
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