西迪斯的403系列是一款小体积低抖动相躁的晶体,为广泛的M2M通信和无线通信提供解决方案403I35D24M00000,CTS晶振公司作为晶体行业的领先者,一直走在技术的最前沿,通过不断的成长与突破自我,开发出新西迪斯型号[412W, 416W，402W, 425W, 403W]提供增强的设计参数针对低功耗无线协议，用于消费者和企业的物联网工业(IIoT)。这些包括工作温度范围-40°C到+125°C，紧凑的公差和稳定性选项，电镀电容低，体积小负载电容值和多种行业标准包装尺寸。

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物联网(IoT)是新的无线试金石，它将实时信息、控制媒体和集线器连接到手机、平板电脑和电脑等无线设备上。这些应用广泛应用于智能家居、智能城市、智能事实、智能医疗、智能农业和智能能源等领域。通信协议和传输频率由标准指导，如IPv6, UDP, QUIC, Aeron和uIP。因此，为满足新的通信需求而创建的下一代单片机、soc或fpga对芯片组设计人员提出了挑战，要求他们开发出能够提供改进的快速通信、低噪声性能和低功耗的操作体系结构。西迪斯的403系列是一款小体积低抖动相躁的晶体,为广泛的M2M通信和无线通信提供解决方案403I35D24M00000

ATS037BSM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	3.6864MHz
ATS037BSM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	3.6864MHz
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使用低功率元件有助于长时间连续工作，但也增加了挑战，如降低普通有源振荡器增益裕度和信噪比。

目前有数十亿连接物联网设备。随着5G基础设施的普及，未来十年的联网设备数量有望大幅增加更实惠的消费设备。5G承诺的看似无限的连接将继续加重基础设施的负担，并推动芯片组性能的边界，需要定时块和相关的频率参考提供非常可靠的低功率运行。

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ATS22ASM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	22.1184MHz
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ATS122BSM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	12.288MHz
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先进的物联网芯片组利用增益裕度较低的振荡器设计[GM]，需要具有低等效串联电阻[ESR]和低电镀电容[C0]的晶体来确保在宽温度范围和低电池电量水平下快速启动。

许多芯片组(mcu, fpga和soc)的RF功能或计时块使用芯片上的皮尔斯振荡器配置来产生参考时钟频率。这通常块是一个逆变放大器，通过添加一个外部石英晶体谐振器[Y1]和两个负载电容[CL1, CL2]来驱动谐振回路，如图1所示。一个额外的反馈可包括电阻，以帮助稳定直流工作点。

ATS184BSM-1E	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	18.432MHz
ATS184BSM-1E	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	18.432MHz
ATS184BSM-1E	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	18.432MHz
ATS18ASM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	18.432MHz
ATS18ASM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	18.432MHz
ATS18ASM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	18.432MHz
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ATS270BSM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	27MHz
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ATS250BSM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	25MHz
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ATS250SM-1E	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	25MHz
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ATS049ASM-1E	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	4.9152MHz
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ATS042SM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	4.9152MHz
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ATS042SM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	4.9152MHz

利用逆变放大器的跨导值，由芯片组制造商提供，计算了由放大器反馈回路和晶体谐振回路完成的基准时钟的增益裕度GM.

为了保证晶体谐振电路在所有环境条件下的正常运行，增益裕度GM[或安全系数]应大于3.0的最小目标大于5.0。
计算了晶体的等效电路值对增益裕度GM的影响用下面的计算。

通过该公式，并假定芯片组逆变放大器的gm为一个固定值，可以得到表明增加收益边际GMis的唯一方法是降低gm[最小值]的值。

ATS270ASM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	27MHz
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ATS184BSM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	18.432MHz
ATS184BSM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	18.432MHz
ATS270ASM-1E	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	27MHz
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ATS245SM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	24.576MHz
ATS245SM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	24.576MHz
ATS245SM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	24.576MHz
ATS100BSM-1	CTS晶振	ATS-SM	MHz Crystal	10MHz
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403C11A32M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	32MHz
403C11A32M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	32MHz
403C11A32M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	32MHz
403C35D25M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	25MHz
403C35D25M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	25MHz
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403C35D12M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	12MHz
403C35D12M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	12MHz
403C35D12M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	12MHz
403C35D24M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	24MHz
403C35D24M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	24MHz
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403C35E13M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	13MHz
403C35E13M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	13MHz
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403C35E27M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	27MHz
403C35E27M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	27MHz
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403C11A16M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16MHz
403C11A16M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16MHz
403C11A16M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16MHz
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403C11A24M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	24MHz

用于低功耗工作的晶体的典型C0值小于3.0pF，使gm[最小]依赖于R1的值和所选负载电容CL

CTS物联网增强有源晶体[4xxW系列]的设计和加工具有最低的系列电阻值，同时加上小负载电容选项，确保安全增益余量GM，在a的所有条件下支持低功耗和可靠运行客户应用程序。

403C11A16M80000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16.8MHz
403C11A16M80000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16.8MHz
403C11A16M80000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16.8MHz
403C35D22M11840	CTS晶振	403	MHz Crystal	22.1184MHz
403C35D22M11840	CTS晶振	403	MHz Crystal	22.1184MHz
403C35D22M11840	CTS晶振	403	MHz Crystal	22.1184MHz
403C35D28M37500	CTS晶振	403	MHz Crystal	28.375MHz
403C35D28M37500	CTS晶振	403	MHz Crystal	28.375MHz
403C35D28M37500	CTS晶振	403	MHz Crystal	28.375MHz
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403C35D28M63636	CTS晶振	403	MHz Crystal	28.63636MHz
403C35D28M63636	CTS晶振	403	MHz Crystal	28.63636MHz
403C35E12M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	12MHz
403C35E12M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	12MHz
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403C23E26M69000	CTS晶振	403	MHz Crystal	26.69MHz
403C23E26M69000	CTS晶振	403	MHz Crystal	26.69MHz
403C35E16M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16MHz
403C35E16M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16MHz
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403C11A12M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	12MHz
403C11A12M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	12MHz
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403I35D12M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	12MHz
403I35D12M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	12MHz
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403I35D16M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16MHz
403I35D16M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16MHz
403I35D16M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	16MHz
403I35D24M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	24MHz
403I35D24M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	24MHz
403I35D24M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	24MHz
403I35D30M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	30MHz
403I35D30M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	30MHz
403I35D30M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	30MHz
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403I35E26M00000	CTS晶振	403	MHz Crystal	26MHz
402F2401XIAR	CTS晶振	402	MHz Crystal	24MHz
402F2401XIAR	CTS晶振	402	MHz Crystal	24MHz
402F2401XIAR	CTS晶振	402	MHz Crystal	24MHz
402F2501XIAR	CTS晶振	402	MHz Crystal	25MHz

前面描述的包含RF功能的mcu、fpga或soc通常用于通过无线协议传输和接收各种各样的信息。这些芯片组需要一个参考晶体在MHz范围内完成振荡器电路，提供系统的主要电路数据时钟信号。此外，芯片组还可以包含一个实时时钟参考[kHz晶体]计时功能。为了支持下一代物联网芯片组，西迪斯开发了晶体需要性能属性的家庭。