日本村田晶振词汇表
村田制作所建立了从原材料到成品的综合生产体系,不断开发和积累基础,技术基础,如材料技术,前端工艺技术,产品,设计技术,后端工艺技术和分析技术.还致力于通过与外部合作伙伴积极合作以及开发预测未来的核心技术和日本村田晶振产品来创造新的市场和创新.
| NO | 项目 | 标题 | 内容 |
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| 1 | 技术用词 | 共振频率 |
阻抗Z仅变为电阻元件的频率存在于两点。在这些点处，相位为0. 具有低频率的一个被称为其中的共振频率。另一种称为反共振频率。 |
| 2 | 技术用词 |
等效电路 |
下图显示了晶体单元的电阻，电感和电容的谐振特性。等效电路中的R1称为等效串联电阻和晶体的重要特性。
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| 3 | 技术用词 |
等效串联电阻（R1） | 晶体等效电路的串联臂中的电阻。 |
| 4 | 技术用词 |
负载电容（Cs） |
它是一个电容，与晶体产生负载共振频率。
它可以通过公式计算来计算。
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| 5 | 技术用词 |
负载共振频率（fL） |
负载谐振频率是晶体单元中负载电容器串联的谐振频率，该频率高于谐振频率。
由于晶体单元规格中实际值与规定值之间的电容差异，实际和标称振荡频率之间将存在频率差。 它可以通过公式计算来计算。
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| 6 | 技术用词 |
拉动灵敏度 |
上图显示了负载电容变化引起的负载谐振频率（fL）偏移。
该图表中每个点的斜率变为拉动灵敏度。 请参考下表。当负载电容为6pF时，牵引灵敏度为-17ppm / pF。（频率将由负载电容的1pF变化移动17ppm。） 可以通过下面的公式计算。
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| 7 | 技术用词 |
准入圈 |
如果频率低于共振频率，则导纳位于原点附近。 通过频率上升顺时针绘制顺时针圆圈。
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| 8 | 技术用词 |
振荡裕度/负阻力分析 |
它是振荡停止的余量，也是振荡电路中最重要的项目。
振荡裕度取决于构成振荡电路的部件（晶体单元，MCU，电容器和电阻器）。 村田制作所建议将振荡余量保持5倍以上。
请详细参阅“ 振动余量的说明”。
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| 9 | 技术用词 |
负电阻（-R） |
负电阻是由电阻表示的振荡电路的信号放大的能力。
它具有负值，因为它与阻力相反。 负电阻的绝对值小表示振荡电路的低放大能力。 振荡电路中的负电阻取决于CMOS反相器特性，反馈电阻，阻尼电阻和外部负载电容。
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| 10 | 技术用词 |
驱动级别 |
驱动电平表示振荡电路中晶体单元的功耗。
当驱动电平过高时，异常特性可能出现在频率 - 温度特性中。在设计振荡电路时最好检查驱动电平。
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| 11 | 技术用词 |
C-MOS逆变器 |
C-MOS是互补MOS，并且是互补连接的p和n型MOSFET。
它作为逆变器（逻辑逆变电路.NOT）工作，如下图所示。
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| 12 | 技术用词 |
振荡电路 |
在具有C-MOS反相器或晶体管的那种放大电路中，它被称为“振荡电路”，其输出连接到输入以进行反馈以继续放大。
通过晶体单元反馈，仅选择和放大共振频率的信号。
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| 13 | 技术用词 |
电路匹配 |
通过组成电路的部件（C-MOS逆变器，晶体单元，电阻和外部负载电容器）的组合，振荡特性发生变化。
因此，必须应用适当的电容组合以获得稳健的振荡。这种检查和调整称为电路匹配。 |
| 14 | 技术用词 |
标称频率 |
有必要了解实际振荡可能会因MCU， PCB和外部负载电容的差异而从标称频率发生偏移。 |
| 15 | 技术用词 |
频率容差 | 频率范围是运行条件下振荡频率的最大允许偏差。它通常以ppm表示，基于标称频率。 |
| 16 | 振荡电路部分 | 反馈电阻 |
反馈电阻器在振荡电路中并联连接到C-MOS逆变器。它可能被集成到MCU中。
它具有平衡逆变器I / O之间的直流电压的作用，并且逆变器将用作放大器。 当反馈电阻没有集成到MCU中时，最好将1Mohm作为反馈电阻的外部电阻。 |
| 17 | 振荡电路部分 |
阻尼电阻 |
阻尼电阻器施加在振荡电路中的C-MOS逆变器的输出侧。它具有注意振荡幅度以降低驱动电平的作用。另一方面，需要注意振动裕度，因为过大的阻尼阻力可能导致振荡停止。
阻尼电阻一般在0到2kΩ的范围内使用，具体取决于MCU的特性。 |
| 18 | 振荡电路部分 |
外部负载电容 | 外部负载电容在振荡电路中被施加到逆变器的输入侧和输出侧接地。 它们是直接影响负电阻和有源晶体振荡频率的重要部分。 这些电容在CERALOCK中称为“负载电容”。另一方面，在晶体单元中，它被称为“外部负载电容器”以区别于负载电容器“Cs”。 通常使用两个相同的电容作为外部负载电容。 作为外部负载电容，5到10pF是合适的，并且它取决于MCU的特性和安装基板的寄生电容。 |
