KDS晶振,DT-26石英插件晶体,1TD1250HNS005晶振
频率:32.768KHZ
尺寸:2.0*6.0mm
KDS晶振,DT-26石英插件晶体,1TD1250HNS005晶振,KDS晶振环境管理体系:在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量32.768K晶振的环境管理以及行为改进的目标和指标.
环境行为评价:评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的成绩.我们将向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.
KDS晶振,DT-26石英插件晶体,1TD1250HNS005晶振,加强环境意识教育,提高全员环境意识,充分调动职工的积极性,积极使用温补晶体振荡器(TCXO)、恒温晶体振荡器(OCXO),晶振,高品质石英晶振,有源晶振环保型原材料,减少生产过程中的废弃物产生量,努力向相关方施加环境影响.
我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的有源晶振,压控振荡器, 晶振,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.
KDS晶振,DT-26石英插件晶体,1TD1250HNS005晶振,插件石英晶体最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能.
KDS晶振,DT-26石英插件晶体,1TD1250HNS005晶振,贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:压电石英晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使SMD石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.
項目 | 型名 | DT-38 | DT-381 | DT-26 | DT-261 | |||||||||||
周波数範囲 |
|
|
32.768kHz | |||||||||||||
負荷容量 |
|
12.5pF | ||||||||||||||
励振レベル |
|
1.0μW(2.0μW max.) | ||||||||||||||
周波数許容偏差 |
|
±30,±40P×10−6 (at 25℃) | ||||||||||||||
直列抵抗 |
|
30kΩ max. (2) | 40kΩ max. (2) | |||||||||||||
頂点温度 |
|
+25℃±5℃ | ||||||||||||||
二次温度係数 |
|
−0.04×10−6/℃ 2 max. | ||||||||||||||
動作温度範囲 |
|
−10 ~+60℃ | ||||||||||||||
保存温度範囲 |
|
−20 ~+70℃ | ||||||||||||||
並列容量 |
|
1.3pF typ. | (2) | 1.1pF typ. |
(2) |
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致日本进口晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容,KDS晶振,DT-26石英插件晶体,1TD1250HNS005晶振.
晶体振荡器和实时时钟模块
所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近石英振荡器的地方(在20 mm范围之间).
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