| 没有。 | 项目 | 标题 | 内容 |
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| 1 | 技术用词 | 共振频率 | 在晶体单元的谐振特性中，谐振频率是较低频率的谐振频率，其中两点阻抗仅变为电阻性的。
具有低频率的一个被称为其中的共振频率。另一种称为反共振频率。 |
| 2 | 技术用词 |
等效电路 | 下图显示了晶体单元的电阻，电感和电容的谐振特性。等效电路中的R1称为等效串联电阻和晶体的重要特性。
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| 3 | 技术用词 |
等效串联电阻（R1） | 晶体等效电路的串联臂中的电阻。 |
| 4 | 技术用词 |
负载电容（Cs） | 它是一个电容，与晶体产生负载共振频率。 在实际的振荡电路中，它是由外部负载电容器，IC，PCB等杂散电流连接到晶体的虚拟电容。 它可以通过公式计算来计算。 |
| 五 | 技术用词 |
负载共振频率（fL） | 负载谐振频率是晶体单元中负载电容器串联的谐振频率，该频率高于谐振频率。 由于晶体单元规格中实际值与规定值之间的电容差异，实际和标称振荡频率之间将存在频率差。 它可以通过公式计算来计算。 |
| 6 | 技术用词 |
拉动灵敏度 | 上图显示了负载电容变化引起的负载谐振频率（fL）偏移。 该图表中每个点的斜率变为拉动灵敏度。 请参考下表。当负载电容为6pF时，牵引灵敏度为-17ppm / pF。（频率将由负载电容的1pF变化移动17ppm。） 可以通过下面的公式计算。 |
| 7 | 技术用词 |
准入圈 | 它是在导纳平面（电导 - 电纳）坐标上绘制的晶体的共振特性。它被称为导纳圈，因为它绘制了圆圈。 如果频率低于共振频率，则导纳位于原点附近。 通过频率上升顺时针绘制顺时针圆圈。 |
| 8 | 技术用词 |
振荡裕度/负阻力分析 | 它是振荡停止的余量，也是振荡电路中最重要的项目。 振荡裕度取决于构成振荡电路的部件（晶体单元，MCU，电容器和电阻器）。 村田制作所建议将振荡余量保持5倍以上。 请详细参阅“振动余量的说明”。 |
| 9 | 技术用词 |
负电阻（-R） | 负电阻是由电阻表示的振荡电路的信号放大的能力。 它具有负值，因为它与阻力相反。 负电阻的绝对值小表示振荡电路的低放大能力。 振荡电路中的负电阻取决于CMOS反相器特性，反馈电阻，阻尼电阻和外部负载电容。 
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| 10 | 技术用词 |
驱动级别 | 驱动电平表示振荡电路中晶体单元的功耗。 它不仅取决于晶体的等效串联电阻，还取决于构成振荡电路的部件（MCU，电容和电阻）。 当驱动电平过高时，异常特性可能出现在频率 - 温度特性中。在设计振荡电路时最好检查驱动电平。 |
| 11 | 技术用词 |
C-MOS逆变器 | C-MOS是互补MOS，并且是互补连接的p和n型MOSFET。 它作为逆变器（逻辑逆变电路.NOT）工作，如下图所示。 
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| 12 | 技术用词 |
振荡电路 | 在具有C-MOS反相器或晶体管的那种放大电路中，它被称为“振荡电路”，其输出连接到输入以进行反馈以继续放大。 通过晶体单元反馈，仅选择和放大共振频率的信号。 
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| 13 | 技术用词 |
电路匹配 | 通过组成电路的部件（C-MOS逆变器，晶体单元，电阻和外部负载电容器）的组合，振荡特性发生变化。 因此，必须应用适当的电容组合以获得稳健的振荡。这种检查和调整称为电路匹配。 |
| 14 | 技术用词 |
标称频率 | 标称频率表示晶体单元制造商为晶体指定的频率。 有必要了解实际振荡可能会因MCU， PCB和外部负载电容的差异而从标称频率发生偏移。 |
| 15 | 技术用词 |
频率容差 | 频率范围是运行条件下振荡频率的最大允许偏差。它通常以ppm表示，基于标称频率。 |
| 16 | 振荡电路部分 | 反馈电阻 | 反馈电阻器在振荡电路中并联连接到C-MOS逆变器。它可能被集成到MCU中。 它具有平衡逆变器I / O之间的直流电压的作用，并且逆变器将用作放大器。 当反馈电阻没有集成到MCU中时，最好将1Mohm作为反馈电阻的外部电阻。 |
| 17 | 振荡电路部分 |
阻尼电阻 | 阻尼电阻器施加在振荡电路中的C-MOS逆变器的输出侧。它具有注意振荡幅度以降低驱动电平的作用。另一方面，需要注意振动裕度，因为过大的阻尼阻力可能导致振荡停止。 阻尼电阻一般在0到2kΩ的范围内使用，具体取决于MCU的特性。 |
| 18 | 振荡电路部分 |
外部负载电容 | 外部负载电容在振荡电路中被施加到逆变器的输入侧和输出侧接地。 它们是直接影响负电阻和振荡频率的重要部分。 这些电容在CERALOCK中称为“负载电容”。另一方面，在晶体单元中，它被称为“外部负载电容器”以区别于负载电容器“Cs”。 通常使用两个相同的电容作为外部负载电容。 作为外部负载电容，5到10pF是合适的，并且它取决于MCU的特性和安装基板的寄生电容。 |
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2019-06-19 15:21:39
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