全站搜索 - sitime晶振 - 村田石英晶振,村田振荡器,村田晶体振荡器,军工晶体振荡器,MurataResonator

当前位置：首页 » 全站搜索 » 搜索：sitime晶振

: SiTime晶振,SiT1572AI-J3-33E-DCC-32.768Q,1508mm,LVCMOS

SiTime晶振,SiT1572AI-J3-33E-DCC-32.768Q,1508mm,LVCMOS，美国进口晶振，SiTime可编程晶振，型号SiT1572，编码为：SiT1572AI-J3-33E-DCC-32.768Q，工业温度范围：-40℃至+85℃，频率稳定性：±50ppm，电压：3.3V，LVCOMS输出晶振，频率：32.768KHz，小体积晶振尺寸：1.5x0.8mm，四脚贴片晶振，SiT1572是一个超小，微功率，32.768 kHz振荡器在一个CSP-4包。在无负载条件下的典型供电电流为4.5µA。SiTime的MEMS振荡器由一个MEMS谐振器和一个可编程模拟电路组成。SiT1572 MEMS谐振器是建立与SiTime的独特的MEMS第一®工艺。一个关键的制造步骤是EpiSeal®，在此期间MEMS谐振器在温度超过1000°C。EpiSeal®创造了一个非常强大，清洁的真空室，封装了MEMS谐振腔，并确保最佳的性能和可靠性。在EpiSeal®期间，一个聚硅帽生长在谐振腔的顶部，这消除了额外的帽晶圆或其他外来包装的需要。因此，SiTime的MEMS谐振器模可以像任何其他半导体模一样使用。SiTime的MEMS第一和EpiSeal®的制造过程的一个独特结果是，能够将SiTime的MEMS模具与SoC、ASIC、微处理器或模拟模具集成在一个包中，以消除外部定时组件，并为客户提供高度集成、更小、经济有效的解决方案。有源晶振，应用程序：健康和健康监测器，无线连接睡眠时钟，ULP输入设备，RTC参考时钟。
更多 +

: SiT1533AI-H4-D14-32.768S,2012mm,32.768KHz,SiTime振荡器

SiT1533AI-H4-D14-32.768S,2012mm,32.768KHz,SiTime振荡器，美国进口晶振，SiTime晶振，型号：SiT1533，编码为：SiT1533AI-H4-D14-32.768S，工业温度范围：-40℃至+85℃，频率稳定性：±100ppm，小体积晶振尺寸：2.0x1.2mm，频率为：32.768KHz，两脚贴片晶振，石英晶体振荡器，SiT1533是一款超小、超低功率的32.768 kHz振荡器，为移动设备和其他电池供电的应用进行了优化。当使用SiTime焊盘布局（SPL）时，SiT1533与引脚兼容，并与现有的2012 XTALs兼容。与标准振荡器不同的是，SiT1533的特点是纳米驱动器Drive™，这是一种工厂可编程输出，可以降低电压摆动到最小化功率。1.2V到3.63V的工作电源电压范围使其成为一个理想的解决方案，包括低压电池备用电源，如硬币电池或超级盖。应用于：手机，时钟晶振，平板电脑，健康和健康监视器，健身手表，运动视频摄像头，无线键盘，超小笔记本电脑，脉冲每秒（pps）计时，RTC参考时钟，电池管理计时等应用。
更多 +

[村田技术支持]SiTime超级TCXO2023年09月08日 17:00

SiT5443超级TCXO由于其7.0x5.0mm的小表面贴装尺寸、2mm的低高度、低功耗要求以及减轻恶劣工作条件影响的独特能力，降低了设计成本和复杂性。由于它是工厂可编程的，支持1至60MHz的输出频率，因此消除了定制振荡器的高成本、风险和延迟。SiT5543可与I2C数字控制一起使用，用于动态频率调谐或在线用户自定义补偿。数字控制提供对噪声不敏感的频率调节，频率移动平滑。85°C时的额定20年老化值为150ppb，因此无需系统级老化补偿。

SiT5543 MEMS超级TCXO温补晶振采用世界一流的半导体工艺制造，具有统计过程控制和6-sigma规格限制，以确保它们开箱即可可靠运行，并满足实验室和现实世界的规格要求。

总而言之，SiT5443能够实现更快、低延迟的数据传输，并降低动态环境中的误码率。系统设计人员不再需要使用昂贵、笨重的定制OCXOs，这些OCXOs对加速度、冲击和振动高度敏感。

阅读（640）标签：SiTime晶振|温补晶振

[行业资讯]6G无线晶振SiT1881AE-L3-DCC-XX0-032.768S汽车用超低功耗32.768KHz可编程振荡器2023年06月27日 17:53

SiTime晶振SiT1881是一款符合汽车应用要求的超低功耗32.768kHz振荡器(XO )，工作温度最高可达105℃，工作频率为50 ppm，是一款可编程振荡器，默认频率为32.768kHz，支持1Hz至262.144kHz的17种其它频率。SiT1881 XO是SiTime功耗最低的XO，空载电流仅为490 nA。此外，它不需要任何负载电容，采用1.2 x 1.1 mm小型QFN封装。与2.0 x 1.2 mm SMD晶体相比，这使得尺寸缩小了75%。SiT1881可以驱动最高100 pf的负载，通过消除设计中的多个32.768 kHz晶体，进一步节省了系统成本。该器件还引入了创新的低摆幅技术，以进一步降低整体系统功耗。

6G无线晶振SiT1881AE-L3-DCC-XX0-032.768S汽车用超低功耗32.768KHz可编程振荡器