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SiT1533AI-H4-D14-32.768S,2012mm,32.768KHz,SiTime振荡器

频率:32.768KHz

尺寸:2.0x1.2mm

SiT1533AI-H4-D14-32.768S,2012mm,32.768KHz,SiTime振荡器,美国进口晶振,SiTime晶振,型号:SiT1533,编码为:SiT1533AI-H4-D14-32.768S,工业温度范围:-40℃至+85℃,频率稳定性:±100ppm,小体积晶振尺寸:2.0x1.2mm,频率为:32.768KHz,两脚贴片晶振,石英晶体振荡器,SiT1533是一款超小、超低功率的32.768 kHz振荡器,为移动设备和其他电池供电的应用进行了优化。当使用SiTime焊盘布局(SPL)时,SiT1533与引脚兼容,并与现有的2012 XTALs兼容。与标准振荡器不同的是,SiT1533的特点是纳米驱动器Drive™,这是一种工厂可编程输出,可以降低电压摆动到最小化功率。1.2V到3.63V的工作电源电压范围使其成为一个理想的解决方案,包括低压电池备用电源,如硬币电池或超级盖。应用于:手机,时钟晶振,平板电脑,健康和健康监视器,健身手表,运动视频摄像头,无线键盘,超小笔记本电脑,脉冲每秒(pps)计时,RTC参考时钟,电池管理计时等应用。
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SiT1533AI-H4-D14-32.768S,2012mm,32.768KHz,SiTime振荡器,美国进口晶振,SiTime晶振,型号:SiT1533,编码为:SiT1533AI-H4-D14-32.768S,工业温度范围:-40℃至+85℃,频率稳定性:±100ppm,小体积晶振尺寸:2.0x1.2mm,频率为:32.768KHz两脚贴片晶振,石英晶体振荡器,SiT1533是一款超小、超低功率的32.768 kHz振荡器,为移动设备和其他电池供电的应用进行了优化。当使用SiTime焊盘布局(SPL)时,SiT1533与引脚兼容,并与现有的2012 XTALs兼容。与标准振荡器不同的是,SiT1533的特点是纳米驱动器Drive™,这是一种工厂可编程输出,可以降低电压摆动到最小化功率。1.2V到3.63V的工作电源电压范围使其成为一个理想的解决方案,包括低压电池备用电源,如硬币电池或超级盖。应用于:手机,时钟晶振,平板电脑,健康和健康监视器,健身手表,运动视频摄像头,无线键盘,超小笔记本电脑,脉冲每秒(pps)计时,RTC参考时钟,电池管理计时等应用。

SiT1533AI-H4-D14-32.768S,2012mm,32.768KHz,SiTime振荡器,产品特点:

小型SMD尺寸: 2.0x1.2mm
针兼容2012 XTAL SMD包
固定32.768kHz石英晶振
<20ppm频率公差超低功率: <1µA
支持硬币电池或超盖电池备份电压
Vdd供应范围: 1.5V到3.63V超过-40°C+85°C
振荡器输出消除外部负载帽
内部过滤消除外部Vdd旁路帽
纳米驱动器™可编程输出摆动最低功率
无铅,RoHS和达到兼容

Japan2SiT1533AI-H4-D14-32.768S,2012mm,32.768KHz,SiTime振荡器,参数表

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Condition
Frequency and Stability
Fixed Output Frequency Fout 32.768 kHz
Frequency Stability
Frequency Tolerance[2] F_tol 20 ppm TA=25°C, post reflow, Vdd: 1.5V–3.63V.
Frequency Stability[3] F_stab 75 ppm TA=-10°C to +70°C, Vdd: 1.5V–3.63V.
100 TA=-40°C to +85°C, Vdd: 1.5V–3.63V.
250 TA=-10°C to +70°C, Vdd: 1.2V–1.5V.
25°C Aging -1 1 ppm 1st Year
Supply Voltage and Current Consumption
Operating Supply Voltage Vdd 1.2 3.63 V TA=-10°C to +70°C
1.5 3.63 V TA=-40°C to +85°C
Core Operating Current[4] Idd 0.9 μA TA=25°C, Vdd: 1.8V. No load
1.3 TA=-10°C to +70°C, Vdd max: 3.63V. No load
1.4 TA=-40°C to +85°C, Vdd max: 3.63V. No load
Output Stage Operating Current[4] Idd_out 0.065 0.125 μA/Vpp TA=-40°C to +85°C, Vdd: 1.5V – 3.63V. No load
Power-Supply Ramp t_Vdd_ Ramp 100 ms TA=-40°C to +85°C, 0 to 90% Vdd
Start-up Time at Power-up[5] t_start 180 300 ms TA =-40°C ≤ TA≤ +50°C, valid output
450 TA=+50°C < TA≤ +85°C, valid output
Operating Temperature Range
Commercial Temperature T_use -10 70 °C
Industrial Temperature -40 85 °C

Japan3SiT1533AI-H4-D14-32.768S,2012mm,32.768KHz,SiTime振荡器,尺寸图

SiT1533 2012 32.768K OSC

SiT1533

SiT1533-1

SiT1533-2

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