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DSV321SV有源晶体振荡器,KDS日本晶振,1XVD030240VA晶振，KDS晶振环境管理体系：在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量高品质晶振的环境管理以及行为改进的目标和指标. 

环境行为评价：评价我们运行以及员工的环境行为表现,确认支撑着本方针的成绩.我们将向我们的员工提供信息,以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训.

加强环境意识教育,提高全员环境意识,充分调动职工的积极性,积极使用温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）,晶振,高品质石英晶体,有源晶振环保型原材料,减少生产过程中的废弃物产生量,努力向相关方施加环境影响.

DSV321SV有源晶体振荡器,KDS日本晶振,1XVD030240VA晶振，我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的有源晶振,压控振荡器, 晶振,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.

DSV321SV有源晶体振荡器,KDS日本晶振,1XVD030240VA晶振，型号DSV321SV，频率30.240MHZ，电压3.3V，精度50ppm，4脚金属面，压控晶振(VCXO),压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60MHz到200MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用:SDH/SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.

DSV321SV有源晶体振荡器,KDS日本晶振,1XVD030240VA晶振，贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定.

石英晶振高精度晶片的抛光技术:压电石英晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使高性能有源晶体的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.DSV321SV有源晶体振荡器,KDS日本晶振,1XVD030240VA晶振.

項目

型名

記号

DSV321SV

DSV321SR

出力周波数範囲

fo

30.24MHz

電源電圧

VCC

+2.8V±0.28V

+3.3V±0.33V

+1.8V±0.18V

周波数制御電圧

Vcont

＋1.4±1.4V

＋1.65±1.65V

＋0.9±0.9V

保存温度範囲

T_stg

−40~+85℃

動作温度範囲

T_use

−10~＋70℃ /−30~＋85℃

周波数許容偏差（常温偏差含む）

f_tol

±40×10−6 max.

周波数可変範囲

f_cont

±125×10−6 min./±100×10−6 min. [Positive Slope]

±100×10−6 min. [Positive Slope]

消費電流

ICC

3mA max.（13.5≦fo≦40MHz） 5mA max.（40＜fo≦54MHz） [No Load]

5mA max.（6.75≦fo≦40MHz） 8mA max.（40＜fo≦54MHz） 12mA max.（54＜fo≦90MHz） [No Load]

2mA max.（13.5≦fo≦36MHz） 3mA max.（36＜fo≦54MHz） [No Load]

出力負荷

L_CMOS

15pF

波形シンメトリ

SYM

40~60% [50％ VCC Level]

0レベル電圧

VOL

VCC ×0.1 max.

1レベル電圧

VOH

VCC ×0.9 min.

立上り時間 立下り時間

tr, tf

10ns max.（13.5 ≦fo≦40MHz） 6ns max.（40＜fo≦54MHz） ［10~90％ VCC Level］

10ns max.（6.75≦fo≦40MHz） 6ns max.（40＜fo≦54MHz）

10ns max.（13.5≦fo≦40MHz） 6ns max.（40＜fo≦54MHz） ［10~90％ VCC Level］

ピリオド  ジッタ（1）

tRMS

2.4ps typ. (σ)

3.5ps typ. (σ)

tp-p

22ps typ. (Peak to peak)

32ps typ. (Peak to peak)

トータル  ジッタ（1）

tTL

33ps typ. ［tDJ + n＊tRJ n=14.1(BER=1＊10-12)(2)]

49ps typ.［tDJ + n＊tRJ n=14.1BER=1＊10-12)(2)］

位相ジッタ

tpj

1ps max. (10≦fo<40MHz,fo offset：12kHz?5MHz、            fo≧40MHz,fo offset：12kHz~20MHz))

1.5ps max. (fo<40MHz,fo offset：12kHz?5MHz、 fo≧40MHz,fo offset：12kHz~20MHz)

梱包単位

−

2000pcs./reel（φ180）

激励功率

在晶体单元上施加过多驱动力,会导致无源晶振特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率 

负极电阻

除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加

负载电容

振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容，DSV321SV有源晶体振荡器,KDS日本晶振,1XVD030240VA晶振.

晶体振荡器和实时时钟模块

所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

电源线路

电源的线路阻抗应尽可能低.

输出负载

建议将输出负载安装在尽可能靠近石英振荡器的地方(在20 mm范围之间).