微晶晶振,贴片晶振,CC1V-T1A晶振,CC1V-T1A-32.768kHz-9pF-30PPM-TC-QC晶振

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微晶晶振,贴片晶振,CC1V-T1A晶振,CC1V-T1A-32.768kHz-9pF-30PPM-TC-QC晶振

频率：32.768kHz

尺寸：8.0*3.7*1.75mm

贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型,薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD,SSD,USB,Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.

订购热线：0755-27838351

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微晶晶振,贴片晶振,CC1V-T1A晶振,CC1V-T1A-32.768kHz-9pF-30PPM-TC-QC晶振.智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体谐振器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

微晶晶振,1978年成立于瑞士格伦兴,为Swatch Group的供货商,提供手表音叉式晶体的产品.而今,微晶已经发展成为一家在微型音叉式石英晶体(32kHz ~ 250MHz)、实时时钟32.768K晶振模块、进口晶和OCXO等多个领域的领导供货商,为世界一流的终端产品制造商提供从设计到量产的全方位支持,服务范围涵盖手机、计算机、汽车电子、手表、工业控制、植入式医疗及其他高可靠性产品.

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴.对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的 UM-1),会在 X 轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上.保证晶振产品的温度特性.

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微晶晶振规格	单位	CC1V-T1A晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768 kHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+85℃	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20ppm ±100ppm ±250ppm ±500ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.muratacrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	4.0pF 9.0pF 10.0pF 12.5pF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的压电石英晶振的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致有源晶体无法产生振荡和/或非正常工作.晶振的软焊温度条件被设计成可以和普通电子零部件同时作业,但如果是超过规格以上的高温,则频率有可能发生较大的变化,因此请避免不必要的高温度.有关SMD晶振产品的回流焊焊接温度描述,请参照“表面贴装型晶体产品的回流焊焊接温度描述”.

清洗

关于一般清洗液的使用以及超声波清洗没有问题,但这仅仅是对单个石英晶体产品进行试验所得的结果,因此请根据实际使用状态进行确认.由于高品质石英晶振的频率范围和超声波清洗机的清洗频率很近,容易受到共振破坏,因此请尽可能避免超声波清洗.若要进行超声波清洗,必须事先根据实际使用状态进行确认.

晶体振荡器的内部电路使用C-MOS.闭锁、静电对策请和一般的C-MOSIC一样考虑.有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接.使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以最短距离连接.关于个别机型请确认宣传册、规格书.